하이닉스, 플래시메모리 - D램 장점 결합 P램 양산 돌입

하이닉스반도체가 대표적인 차세대 메모리 반도체인 P램 개발에 본격적으로 뛰어들었다.

하이닉스는 P램 원천기술을 보유한 미국의 오보닉스와 P램 기술에 대한 라이선스 계약을 체결했다고 1일 밝혔다.

이에 따라 두 회사는 P램 기술 개발을 비롯해 재료 공정 디자인 생산 등의 분야에서 서로 협력하게 된다.

‘상(相) 변화 메모리(Phase Change RAM)’를 뜻하는 P램은 전원이 끊겨도 저장된 정보가 지워지지 않는 플래시메모리의 장점과 빠른 처리 속도가 특징인 D램의 장점을 모두 갖추고 있다. D램보다도 생산 비용이 적게 드는 등 장점이 많아 ‘퍼펙트(Perfect·완벽한) 램’으로 불리기도 한다.

반도체 업계에서는 휴대전화 등 각종 모바일 기기에 사용되는 메모리 반도체 시장에서 P램이 주력 제품으로 떠오를 것이란 전망이 나온다.

박성욱 하이닉스 부사장은 “이번 라이선스 계약은 우리 회사가 메모리 시장의 새로운 패러다임을 가져올 P램 사업에 본격 진출했다는 데 의의가 크다”며 “P램의 성공적인 기술 개발 및 양산을 위해 지속적으로 노력하겠다”고 말했다.

이에 앞서 하이닉스는 7월 ‘중장기 발전 계획 발표회’에서 “2009년부터 P램을 양산해 2012년까지 P램의 글로벌 시장 점유율을 30%까지 끌어올리겠다”는 비전을 내놓았다.

한편 2005년 오보닉스와 10년 기간의 라이선스 계약을 한 삼성전자는 2006년 9월 세계 최초로 512Mb(메가비트) P램을 개발하는 데 성공하며 한발 앞서 있다.

삼성전자 관계자는 “2008년부터 P램을 상용화해 현재 휴대전화에 많이 사용되는 메모리 반도체인 ‘고용량 노어 플래시’를 대체해 나갈 것”이라고 밝혔다.

부형권 기자 bookum90@donga.com