하이닉스 “1Gb 이상 고용량 D램 생산 주력”

하이닉스반도체는 지난해 54nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m) 공정 기술로 만든 1Gb(기가비트) DDR2 D램에 대해 미국 인텔사(社)의 인증을 받은 데 이어 최근 이 D램을 조합해 만든 DDR2 1GB(기가바이트), 2GB PC용 모듈 제품의 인증도 획득했다고 24일 밝혔다.

1GB 모듈은 보통 1Gb 단품 8개를 연결한 형태로 만들어진다.

하이닉스는 “인텔의 인증을 받는 것은 우리 제품이 상용화에 적합하며 기술적으로도 안정적이라는 반도체 시장의 공인(公認)과 마찬가지”라며 “1GB, 2GB 모듈 제품의 양산은 3분기(7∼9월)에 시작될 것”이라고 말했다.

이에 따라 하이닉스는 1Gb 이상 고용량 D램 제품의 생산력이 크게 향상될 것으로 내다봤다.

최근 D램 메모리 반도체 시장은 1Gb 제품 1개 가격이 512Mb 제품 2개의 가격보다 낮은 ‘비트 크로스(Bit Cross)’가 발생하며 급격하게 주력 시장이 1Gb로 옮겨가고 있다.

하이닉스 관계자는 “현재 1Gb 이상 제품 생산이 전체 D램 제품의 40% 선에 달하며 1분기(1∼3월)에 50% 이상으로 끌어올릴 계획”이라고 말했다.

한편 이번에 인증받은 54nm 공정 기술 제품은 현재의 60nm급 공정에 비해 투입되는 웨이퍼(반도체 원판) 크기를 40%까지 줄일 수 있어 제품의 전력 소모도 크게 낮출 수 있다.

부형권 기자 bookum90@donga.com