하이닉스는 10일 “D램 반도체는 54nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m) 공정을 적용한 1Gb(기가비트) DDR2 제품을 이르면 2분기(4∼6월)에 개발해 3분기(7∼9월)부터 양산하겠다”고 밝혔다.
현재 주력 D램 제품은 66nm 공정으로 만들어진다.
하이닉스는 44nm 1Gb DDR3 제품 개발도 내년 상반기(1∼6월)에 완료할 계획이다.
이 회사 관계자는 “60nm급 공정에서 50nm, 40nm급으로 발전할 때마다 웨이퍼(반도체 원판)에서 생산되는 반도체 칩 수가 약 45%씩 늘어난다”며 “나노 공정기술의 향상 시기를 당초 계획보다 1∼3개월 앞당길 것”이라고 설명했다.
부형권 기자 bookum90@donga.com