하이닉스, 대만업체에 50나노 기술 이전 합의

  • 입력 2008년 5월 9일 02시 59분


프로모스社서 로열티 수입 3년간 5억달러 기대

기술유출 논란 감안 실제 이전은 ‘한국 양산 이후’

하이닉스반도체는 제휴업체인 대만 프로모스와의 기술협력 관계를 50nm(나노미터·1nm는 10억 분의 1m)급 D램 제조기술로까지 확대하고, 기존 수탁생산(파운드리) 공급계약도 연장해 프로모스의 50nm급 생산설비를 공동 활용키로 합의했다고 8일 밝혔다.

하이닉스는 또 프로모스와의 전략적 협력관계를 더욱 공고히 하기 위해 프로모스 지분 8∼10%를 매입하겠다는 투자 의향도 제시했다. 이를 위한 투자 규모는 1700억∼1800억 원으로 추산된다.

회사 측은 “이번 합의로 하이닉스는 자체 설비투자 부담 없이 월 웨이퍼(반도체원판) 생산능력 6만∼7만 장 수준의 추가적인 설비 능력을 확보하게 된 셈”이라며 “이는 공장 1개동의 건설비용과 맞먹는 3조 원가량의 투자 절감 효과를 기대할 수 있다”고 설명했다.

이어 50nm급 기술이전에 따른 웨이퍼 생산이 본격화되면 그 후 3개년에 걸쳐 5억 달러(약 5248억 원) 이상의 기술 로열티 수입과 수탁생산 이익이 기대된다고 덧붙였다.

하지만 하이닉스는 50nm급 제조기술의 대만 이전에 따른 ‘기술 유출’ 논란을 감안해 “실제 이전 시점은 50nm급 기술이 먼저 한국 내에서 양산 적용되고 상당한 기간이 경과한 뒤에나 이뤄질 것”이라고 못 박았다.

그동안 삼성전자 등에서는 하이닉스와 프로모스의 50nm급 기술 협력에 대해 “대만이 한국 반도체를 역공할 빌미를 주는 것”이라고 우려했고, 이에 대해 하이닉스는 “설계 기술이 아닌 제조 기술의 이전은 ‘기술 수출’로 봐야 맞다”고 맞섰다.

하이닉스의 한 임원은 “만약 프로모스가 다른 해외 업체로 눈을 돌렸다면 하이닉스 경쟁력 저하와 해외 경쟁사의 공급능력 확대라는 이중 부담을 한국 반도체 업계가 떠안았을 것”이라고 주장했다.

D램 반도체 분야 협력관계 현황
협력 형태협력 업체들
합작 투자키몬다(독일)-난야(대만)엘피다(일본)-파워칩(대만)마이크론테크놀로지(미국)-난야
공동 기술 개발키몬다-난야마이크론테크놀로지-난야엘피다-키몬다
수탁생산(파운드리)협력하이닉스(한국)-프로모스(대만)키몬다-난야엘피다-파워칩마이크론테크놀로지-난야
자료: 반도체 업계 종합

부형권 기자 bookum90@donga.com

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