삼성전자 내달부터 50나노 2Gb DDR3 D램 양산

삼성전자는 다음 달부터 세계 최초로 50nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m)급 공정을 적용한 2Gb(기가비트) DDR3 D램 양산에 들어간다고 29일 밝혔다. 이 제품은 지난해 삼성전자가 개발한 60nm급 2Gb DDR2 D램의 최대 속도인 800Mbps(1Mbps는 초당 1Mb의 데이터 처리)보다 67% 빠른 1333Mbps를 구현할 수 있다고 회사 측은 설명했다. 50nm급 공정은 반도체 회로와 회로 사이의 폭이 50nm급인 첨단 반도체 제조공정이다.

김창덕 기자 drake007@donga.com