삼성전자, 40나노 1기가 D램 첫 개발

삼성전자가 세계 최초로 40nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m) 공정을 적용한 1Gb(기가비트) DDR2 D램(사진)을 개발했다고 4일 밝혔다.

이 회사는 용량과 속도를 높인 40나노급 2Gb 제품 개발에도 속도를 가해 올 3분기(7∼9월) 중으로 양산에 들어갈 계획이다. 40나노 공정은 기존 50나노 공정에 비해 생산성을 60% 이상 높일 수 있어 삼성전자는 다른 D램 업체와의 제조경쟁력 격차를 1, 2년까지 확대할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

삼성전자 관계자는 “50나노급의 경우 제품 개발 후 양산까지 약 2년이 걸렸던 데 비해 공정이 더 미세해지는 40나노급에서 신제품 양산 기간을 1년 이상 단축하는 것은 현재 시장 상황을 적극적으로 타개해 나가고자 하는 전략을 나타낸 것”이라고 설명했다.

삼성전자는 2006년 9월 1Gb 50나노급 DDR2 D램을 개발한 뒤 1년 반이 지난 지난해 4월부터 2Gb 제품 양산에 들어간 바 있다.

40나노급 D램은 50나노급 D램 대비 칩 면적 축소로 생산성 향상뿐만 아니라 저전력과 저전압 특성이 강화돼 소비전력도 30% 이상 줄어들 것으로 예상된다고 회사 측은 덧붙였다.

김창덕 기자 drake007@donga.com