한국 반도체기술 뜀박질

세계 1위의 한국 반도체 업계가 후발 업체와 격차 확대에 나섰다.

26일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 이달 말부터 40nm(나노미터·1nm는 10억 분의 1m)급 미세공정을 적용한 2Gb(기가비트) DDR3 D램 제품을 양산한다. 이와 함께 30nm급 공정 개발도 진행 중이다.

하이닉스 반도체도 4분기(10∼12월)에 40nm급 DDR3 D램을 양산할 계획이다.

이는 세계 경쟁업체들보다 크게 앞선 기술이다. ‘차세대 D램’으로 불리는 DDR3 D램 시장에서 40nm급 반도체 양산 계획을 갖고 있는 업체는 삼성전자와 하이닉스, 일본 엘피다 등 3개 업체에 불과하다.

김종갑 하이닉스 사장은 “외국 경쟁사는 50nm급에도 진입을 못하고 있다”며 “앞으로의 시장은 기술 개발이 경쟁력을 좌우할 전망”이라고 말했다.

삼성전자는 또 전원을 꺼도 기억된 내용이 지워지지 않는 ‘낸드플래시메모리’ 시장 개척을 위해 플래시메모리를 사용한 기억장치인 솔리드스테이트디스크(SSD·메모리반도체를 사용한 하드디스크드라이브) 신제품 개발을 마쳤다. 이 회사는 내년 초 30nm급 SSD를 선보일 계획이다.

세계 반도체 업계는 그동안 적자를 내면서도 출혈 경쟁을 지속해 왔으나 최근 늘어난 누적 적자를 견디지 못하고 연이어 감산(減産)에 나서고 있다. 반면 국내 반도체 업계는 불황에도 기술 개발과 설비 투자를 진행해 온 덕분에 경쟁 외국 업체의 감산으로 인한 수혜를 누리고 있다.

김상훈 기자 sanhkim@donga.com