하이닉스, 올해 투자 3조500억으로 확대

당초 계획보다 7500억 늘려

세계적으로 반도체 경기가 활황을 보이고 있는 가운데 하이닉스반도체가 올해 투자 규모를 확대하기로 결정했다.

하이닉스는 28일 중국 생산시설이 있는 장쑤(江蘇) 성 우시(無錫)에서 이사회를 열고 올해 시설 투자 액수를 3조500억 원으로 결정했다고 31일 밝혔다. 이는 당초 계획했던 2조3000억 원보다 7500억 원(32.6%) 늘어난 액수다.

하이닉스 측은 투자 확대의 배경과 관련해 “수요가 탄탄하게 유지되는 등 최근 메모리 반도체시장 환경이 변화하고 있다”며 “서버, 그래픽, 모바일 등 고부가가치 제품에 대한 고객 요구에 적극적으로 대응하기 위한 것”이라고 설명했다.

하이닉스는 이번 투자를 통해 현재 15% 수준인 40나노급 D램의 비중을 연말까지 50% 수준으로 확대할 계획이다. 40나노급 D램은 50나노급에 비해 생산성이 50% 이상 높아 원가 경쟁력이 강화될 것으로 예상된다. 이를 바탕으로 고부가가치 반도체 제품을 수요자들에게 적기에 공급해 수익성을 높일 계획이다. 하이닉스 관계자는 “투자를 늘려 미세공정으로 전환 속도를 높이고, 차세대 제품 개발 역량을 강화해 경쟁업체와의 원가 및 기술 경쟁력 격차를 늘리겠다”고 말했다.

하이닉스는 이외에도 차세대 제품 개발을 위한 연구개발(R&D) 투자를 늘려 기술경쟁력을 강화할 방침이라고 전했다. 구체적인 R&D 투자액은 밝히지 않았다.

김선우 기자 sublime@donga.com