SK하이닉스는 20나노급 기술을 적용해 세계 최초로 8Gb(기가비트) 모바일 메모리반도체 LPDDR3(Low Power DDR3)를 개발했다고 10일 밝혔다. 이 제품은 고용량, 초고속, 저전력 특성을 갖춘 최고 성능의 모바일 메모리 칩으로 SK하이닉스는 올해 말 양산을 목표로 하고 있다.
8Gb LPDDR3를 4단으로 쌓으면 기존 4Gb 제품으로는 구성할 수 없었던 4GB(기가바이트) 고용량 제품을 한 패키지에서 제공할 수 있다. 또 고용량 제품을 만들 때 패키지의 높이가 전보다 획기적으로 얇아져 기술적으로 초박형 모바일 기기를 만들 수 있다는 것이 SK하이닉스 관계자의 설명이다.
속도 측면에서도 초당 1600Mb(메가비트)의 데이터를 전송할 수 있는 기존 LPDDR3를 훨씬 능가하는 초당 2133Mb 속도를 자랑한다. 초저전압인 1.2V의 동작전압을 갖춰 LPDDR2 대비 동작 속도는 2배로 개선하고도 대기전력 소모는 10% 이상 줄였다.
진정훈 SK하이닉스 마케팅본부장(전무)은 “8Gb LPDDR3를 통해 모바일 기기에 적합한 최고의 성능을 갖춘 제품을 시장에 공급할 수 있게 됐다”고 말했다.
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