SK하이닉스는 6Gb(기가비트) 모바일 메모리반도체인 ‘LPDDR3’(사진)을 개발했다고 30일 밝혔다. 20나노급 기술을 적용해 개발된 이번 제품은 차세대 고사양 스마트폰에 적용될 수 있도록 고용량이지만 전력 소모가 적은 특성을 갖췄다.
6Gb LPDDR3을 4단으로 쌓으면 최근 ‘갤럭시 노트3’ 등 최신 스마트폰에 적용된 3GB(기가바이트·24Gb)의 고용량 모바일 D램을 한 패키지로 제공할 수 있다. 이 경우 기존 4Gb 제품을 6단으로 쌓은 것과 비교했을 때 대기 전력 소모는 30% 정도 줄어들고 두께도 확연히 얇아진다. 또 초저전압인 1.2V에서 작동하기 때문에 모바일 기기에 적합하다. SK하이닉스는 이 제품을 고객사에 샘플 형태로 공급하기 시작했으며 내년 초 양산을 목표로 하고 있다.
이에 앞서 SK하이닉스는 6월 세계 최초로 8Gb LPDDR3을 개발한 바 있다. SK하이닉스는 당초 발표했던 대로 8Gb LPDDR3은 연내에 양산할 계획이다. SK하이닉스 관계자는 “8Gb에 이어 6Gb LPDDR3도 개발에 성공함에 따라 제품의 포트폴리오를 다양화해 급속히 진화하는 모바일 시장에 적극 대응하겠다”고 설명했다.
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