삼성 이재용 부회장이 공언했던 “진짜 실력”의 실체가 나타났다. 삼성전자는 24일 2030년까지 메모리 반도체뿐만 아니라 시스템 반도체에서도 글로벌 1위를 달성하겠다는 ‘반도체 비전 2030’ 계획을 발표했다.
삼성전자는 이를 위해 시스템 반도체 분야 연구개발 및 생산시설 확충에 총 133조 원을 투자한다. 분야별로 보면 국내 R&D 분야에 73조 원, 최첨단 생산 인프라에 60조 원을 투입한다. 삼성전자는 향후 화성캠퍼스 신규 EUV 라인을 활용해 생산량을 증대하고, 국내 신규 라인 투자도 지속 추진할 계획이다. 또한 기술경쟁력 강화를 위해서 시스템 반도체 R&D 및 제조 전문인력 1만5000명을 채용할 계획이다.
삼성전자의 이런 계획이 실행되면 2030년까지 연평균 11조원의 R&D 및 시설투자가 집행되고, 생산량이 증가함에 따라 42만 명의 간접 고용유발 효과를 기대할 수 있다.
국내 중소 반도체 업체와의 협력도 강화한다. 삼성전자는 국내 팹리스 업체를 지원하는 등 상생협력을 통해 한국 시스템 반도체 산업생태계를 강화한다. 인터페이스 IP, 아날로그 IP, 시큐리티 IP 등 삼성전자가 개발한 IP(설계자산)를 호혜적으로 지원한다. 또한, 보다 효과적으로 제품을 개발할 수 있도록 삼성전자가 개발한 설계·불량 분석 툴 및 소프트웨어 등도 지원할 계획이다.
소품종 대량생산인 메모리 반도체와 달리 다품종 소량생산이 특징인 시스템 반도체 분야의 국내 중소 팹리스업체는 지금까지 수준 높은 파운드리 서비스를 활용하는 데 어려움이 있었다. 삼성전자는 이러한 어려움을 해소하도록 반도체 위탁생산 물량 기준도 완화해 국내 중소 팹리스업체의 소량제품 생산을 적극적으로 지원할 계획이다.
이밖에 국내 중소 팹리스 업체의 개발활동에 필수적인 MPW(Multi-Project Wafer) 프로그램을 공정당 연 2∼3회로 확대 운영한다. 삼성전자는 국내 디자인하우스 업체와의 외주협력도 확대해 나갈 계획이다.