차세대 D램 세계 첫 양산… 삼성 ‘초격차 투자’ 성과

[커버스토리]세계 최대 평택 P2라인 본격가동

삼성전자 반도체 생산 전초 기지인 경기 평택캠퍼스 전경. 부지 면적만 축구장 400개에 달하는 289㎡로 세계 최대규모를 자랑한다. 삼성전자는 2017년 완공된 1라인(P2) 가동을 시작했다고 30일 밝혔다. 삼성전자 제공

삼성전자가 세계 최대 규모로 조성한 반도체 생산공장 평택 2라인(P2)이 30일 본격 가동을 시작했다. 축구장 18개 크기(12만8900m²)에 달하는 이 공장에서 삼성전자는 차세대 스마트폰 시장을 겨냥해 세계 최초로 극자외선(EUV) 기반 D램을 양산한다. “끊임없는 투자를 통해 근본적 기술 경쟁력을 확보해야 한다”고 강조해 온 이재용 삼성전자 부회장의 ‘초격차’ 전략 의지가 반영됐다는 평가다.

30일 삼성전자는 P2 생산라인에서 반도체 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 모바일 D램(3세대 10나노급(1z) LPDDR5) 양산을 시작했다고 밝혔다. 2018년 1월 착공을 시작한 지 2년 8개월 만이다.

P2 생산라인에서 양산을 시작한 EUV 기반 16Gb 모바일 D램은 역대 최대 용량 및 최고 속도를 갖췄다. 기존 스마트폰용 모바일 D램보다 속도가 16% 빨라졌고, 이는 16GB(기가바이트) 제품 기준으로 풀HD급 영화(5GB) 10편을 1초 만에 처리할 수 있는 성능이라는 것이 삼성전자 측의 설명이다. 삼성전자 관계자는 “기존 제품 대비 30% 더 얇게 16GB 제품을 구성할 수 있어 폴더블 스마트폰 등 두께가 중요한 전자제품에 최적의 제품”이라고 말했다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 D램개발실 부사장은 “P2 생산라인에서 생산하는 최첨단 EUV 기반 D램은 미세공정 한계를 돌파를 위한 새 패러다임을 제시한 제품”이라며 “프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 확대해 메모리반도체 시장 점유율 확대에 나설 것”이라고 말했다.

삼성전자는 평택 사업장 P2 증설에 총 30조 원 투자를 배정한 상태다. 이번 EUV 기반 모바일 D램을 시작으로 P2 생산라인을 차세대 V낸드, 초미세 파운드리 제품까지 생산하는 첨단 복합 생산라인으로 진화시킬 계획이다. 올해 5월 이 공장에 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사 및 파운드리(시스템반도체 위탁생산) 생산라인 구축 작업도 시작했다. 낸드와 파운드리 제품은 내년 하반기(7∼12월) 양산이 목표다. 이를 통해 직접 고용 인력 4000명, 협력사 및 건설 인력을 포함해 총 3만 명 이상의 고용창출 효과도 기대하고 있다.

반도체 업계에서는 P2 생산라인의 첫 D램 본격 양산이 시작됨으로써 5nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m) 이하 초미세 공정 기반 제품 및 메모리반도체 생산을 담당할 세 번째 평택 반도체 생산라인 P3의 착공에도 속도가 붙을 것으로 예상하고 있다. 삼성전자는 6월 말 P3 생산라인 부지의 기초 토목공사를 시작한 상태다. 반도체 업계에서는 P3 양산 시기를 2023년 상반기(1∼6월)로 점치고 있다.

삼성전자는 신종 코로나바이러스 감염증(코로나19) 사태와 미중 무역 갈등 등 경영 불확실성이 커진 상황 속에서도 “미래를 위한 투자를 멈춰서는 안 된다”는 이 부회장의 의지에 따라 대규모 투자를 이어오고 있다.

이 부회장은 올해 초부터 반도체연구소와 생산라인을 방문해 반도체 성능, 생산성을 동시에 높일 수 있는 EUV 기술의 개발 현황과 라인 가동 상황을 꾸준히 점검해 왔다. 이후 이달 초 미국 IBM이 차세대 서버용 중앙처리장치(CPU)를 삼성전자의 최첨단 EUV 기반 7nm 공정을 통해 생산한다고 밝히는 등 가시적인 성과를 내고 있다. 이 부회장은 5월 평택 P2 생산라인 EUV 파운드리 라인 구축 결정 당시에도 “어려운 때일수록 미래를 위한 투자를 멈춰서는 안 된다”고 강조했다.

서동일 기자 dong@donga.com