尹대통령-바이든, 방명록 대신 3나노 반도체 웨이퍼에 서명

윤석열 대통령과 조 바이든 미국 대통령이 20일 경기 평택 삼성전자 반도체 공장에서 만나 웨이퍼에 서명하고 있다. 이 웨이퍼는 삼성전자가 세계 최초로 양산 예정인 3나노미터(nm·10억 분의 1m) 공정 웨이퍼다. 평택=양회성 기자 yohan@donga.com

20일 양국 정상의 삼성전자 평택 반도체 공장 시찰에선 최첨단 반도체 기술과 한미 기술협력 사례들이 소개됐다.

윤석열 대통령과 조 바이든 미국 대통령은 방명록 대신 최첨단 3나노미터(nm·1nm는 10억분의 1m) 공정 반도체 웨이퍼에 서명한 뒤 P3 생산라인 투어를 시작했다.

3나노 반도체는 머리카락 굵기 10만 분의 3에 불과한 3나노미터 폭으로 웨이퍼(반도체 기판) 위에 회로를 만들어 생산한다. 초미세 반도체 공정은 회로 선폭이 작을수록 첨단이다. 3나노는 5나노 공정보다 칩 면적과 소비전력을 각각 35%, 50% 줄이고, 처리속도는 30% 빠른 반도체를 만들 수 있다.

삼성전자는 2019년 3나노 반도체를 개발한 후 올해 상반기(1~6월) 세계 첫 양산을 목표로 하고 있다. 대만 TSMC는 올 하반기(7~12월) 예정이다. 바이든 대통령은 “3나노 최첨단 반도체 제품을 삼성이 내놓고 있다”면서 “평택과 같은 파운드리를 텍사스 테일러시에 구축하는 것에 감사하게 생각한다”고 말했다.

램리서치, KLA 등 미국 반도체 장비업체 관계자들이 설명을 맡아 한미 기술협력 현장을 보여줬다. 정상들이 연설한 무대 뒤에는 미국 국적의 삼성 직원들이 자리해 눈길을 끌었다.