지난주 화성 찾아 직원들 간담회
첨단 반도체 기술 의지 재확인
“M램 성공, 세상에 없던 일 현실화”
“반도체연구소를 양적, 질적인 측면에서 두 배로 키워나갈 예정입니다.”
13일 재계에 따르면 이재용 삼성전자 회장(사진)은 10일 경기 화성시 반도체연구소를 방문해 이같이 말했다. 지난해 입사한 신입 박사 연구원들과의 간담회에서다. 이 회장은 “이렇게 커나가는 조직에서 일하는 여러분은 정말 행운아”라고도 했다. 첨단 반도체 기술 확보에 대한 이 회장의 의지가 다시 한번 드러난 대목이다.
이 회장은 “회사의 브레인이자 젊은 인재들을 만나고 싶었다”며 “반도체의 미래를 책임지는 사람들인데 앞으로 잘 부탁한다”고 격려했다. 특히 차세대 메모리로 꼽히는 ‘M램’ 개발과 관련해 “추후 상용화에 성공하면 세상에 없던 일을 현실화하는 것”이라고 강조했다.
M램은 처리 속도가 빠른 D램과 전원 없이도 저장 데이터를 보존하는 낸드플래시의 장점을 결합한 메모리다. 데이터 처리 속도는 D램보다 10배 이상, 낸드보다 1000배 이상 빠르다. 동시에 누설 전류량이 낮아 전력 효율성이 높다는 강점이 있다.
삼성전자는 반도체 불황 속에서도 연구개발(R&D)에 적극적으로 투자해 경쟁사와의 ‘초격차’를 더 벌리겠다는 전략을 펴고 있다. 삼성전자는 지난해 R&D 비용으로 역대 최대인 24조9292억 원을 썼다. 전년 대비 10.3% 늘어난 규모다. 같은 기간 영업이익이 16.0% 줄어들었는데도 투자를 확대한 것이다.
이 회장의 이날 발언은 삼성전자가 앞으로도 반도체 R&D와 설비 투자에 보다 공격적으로 나설 것이라는 사실을 재확인해 줬다는 평가가 나온다. 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 삼성전자의 지난해 말 기준 D램 글로벌 시장점유율은 45.1%로 전 분기보다 4.4%포인트 상승했다.
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