삼성전자, 현존 최고용량 ‘32Gb’ DDR5 D램 개발

삼성전자, AI 시대 D램 '세계 최초' 기술 리더십 공고
1983년 64Kb D램 개발 40년 만에 용량 50만배 커져
"향후 1TB 구현 기술 확보…고용량 D램 제품 지속 확대"

삼성전자가 D램 사상 최초로 32Gb(기가비트) 제품 개발에 성공했다. 이로써 지난 1992년 12월 D램 업계 세계 1위에 등극한 삼성전자 지배력이 한층 더 공고해졌다.

삼성전자는 업계 최초로 12나노급 32Gb DDR5 D램을 개발했다고 1일 밝혔다. 32Gb는 D램 단일 칩 기준으로 역대 최대 용량이다. 삼성전자는 12나노급 32Gb DDR5 D램을 연내에 양산할 계획이다.

12나노급 공정은 현존 D램 업계 최선단인 5세대 10나노급(1b) 공정을 말한다.

삼성전자는 지난 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산한 데 이어 전력 효율과 성능, 원가 경쟁력 등에서 강점이 있는 미세 공정 경쟁에서도 기술 지배력이 확고해졌다.

삼성전자는 이번 32Gb D램의 주요 특징으로 기존 16Gb 제품과 동일 패키지 사이즈이면서도 아키텍처 개선을 통해 용량은 2배로 구현했다는 점을 꼽았다.

기존 16Gb로 만든 128Gb 모듈 대비 10% 소비 전력 개선이 가능하다. 삼성전자 관계자는 “데이터센터 등 전력 효율을 중요시하는 IT 기업들에게 최적의 솔루션이 될 수 있다”고 설명했다.

◆삼성전자, 32Gb D램 개발…기술 한계 뛰어넘는 쾌거
이번 개발은 삼성전자가 고용량 제품 개발의 기술 한계를 뛰어넘었다는 측면에서도 의미가 남다르다.

기존 16Gb 제품으로 128GB(기가바이트) 모듈을 만들려면 TSV(실리콘 관통 전극) 기술이 필요했다.

이 기술은 칩을 얇게 간 다음 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고, 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결하는 첨단 패키징 방식이다. 이를 이용하면 칩의 크기를 줄일 수 있다. 최근 AI(인공지능) 반도체 개발에 필요한 고대역폭메모리(HBM) D램 개발에도 사용된다.

반면 삼성전자의 32Gb 제품은 동일 패키지 사이즈를 구현, 128GB 모듈을 제작할 때 이 같은 TSV 공정이 없어도 된다.

현재 D램 업계가 TSV 생산능력 부족으로 고용량 DDR5 제품과 HBM의 증산에 애를 먹는 가운데, 삼성전자는 TSV 공정 대신 HBM 생산에 집중할 수 있게 된다.

◆삼성전자 ‘꿈의 1TB’ 시대 연다…기술 초격차 재확인
무엇보다 이번 32Gb는 삼성전자의 세계 최고 수준의 D램 기술력을 재확인했다는 점에서 의미가 남다르다.

삼성전자는 1983년 64Kb(킬로 비트) D램을 개발하며 업계에 본격적으로 뛰어들었고, 40년 만인 올해 세계 최초 32Gb 제품까지 내놨다. 단일 칩 기준 삼성전자 D램 시장 진출 이후 D램 단일 칩 기준 최고 용량은 50만배 커졌다.

삼성전자는 그동안 메모리 업계 불황이 찾아올 때마다 끊임없는 시설투자와 R&D(연구개발) 투자로 경쟁사들과 격차를 만드는 데 집중해왔다. 이를 통해 1992년 12월 D램 업계 1위에 오른 이후 31년째 연속 D램 업계 1위 자리를 지키고 있다. 이번 32Gb D램도 미래형 D램 수요를 선점하는데 강력한 무기가 될 전망이다.

삼성전자의 32Gb 제품 개발로 1TB(테라바이트) D램 시대도 꿈은 아니라는 평가다.

이론상 현재의 기술력으로도 32Gb 제품 여러 개를 결합하면 모듈 기준 현존 최고용량인 256GB를 뛰어넘어 512GB는 물론, 1TB 모듈 제품도 만들 수 있다. 삼성전자는 앞으로 고용량 D램 라인업을 지속 확대해 나갈 계획이다.

또 AI시대를 주도할 고용량, 고성능, 저전력 제품들로 글로벌 IT 기업들과 협력해 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 예정이다.

특히 AI 산업의 출현으로 데이터 처리량이 폭증하고 있다. 글로벌 데이터양은 지난 2010년 2E(제타바이트·1ZB는 1024TB)에 불과했으나, 올해 100ZB를 넘어 2025년에는 181ZB까지 급증할 것으로 전망된다.

생성형 AI의 경우 더 빠르고 많은 데이터를 처리하기 위해 서버당 D램 탑재량을 지속해서 늘리고 있다. 시장조사기관 IDC에 따르면 서버당 D램 탑재량은 올해 1.93TB에서 2027년 3.86TB로 2배 확대될 전망이다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 황상준 부사장은 “이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다”며 “삼성전자는 향후에도 차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나갈 것”이라고 밝혔다.

[서울=뉴시스]