삼성 “내년 HBM 생산능력, 올해 2.5배 이상…낸드 중심 감산 지속”

뉴스1

삼성전자는 ‘AI(인공지능) 열풍’으로 수요가 급증한 고대역폭 메모리(HBM)의 내년 생산 능력을 올해보다 2.5배 이상 늘리겠다는 계획을 제시했다.

불황을 거듭하고 있는 메모리 시장에서 D램보다 낸드플래시 중심의 감산을 지속하고, 선단 공정에 대한 투자는 계속 이어갈 방침이다.

삼성전자(005930)는 31일 3분기(7~9월) 실적 발표 콘퍼런스콜에서 “HBM 내년 공급 역량은 올해대비 2.5배 이상 확대할 계획”이라며 “이미 주요 고객사들과 내년 공급에 대해 협의했고 4분기엔 고객사 확대를 통해 판매를 늘리겠다”고 말했다.

특히 HBM3 비중은 내년 상반기 내 HBM 전체 판매 물량의 절반 이상에 달할 것으로 예상했다.

이어 “36기가 바이트 제품도 내년 1분기 샘플 공급 준비하고 있다”며 “HBM3E는 검증된 1anm(나노미터) 공정 제품으로 캐파(생산능력) 규모와 양산 안정성 기반으로 주요 고객들에게 안정적 공급 할것으로 기대된다”고 설명했다. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3) 순으로 개발돼 왔다.

삼성전자는 내년 재고 정상화와 더불어 AI향 수요 성장, 모바일 고용량화 추세가 메모리 시장 수요 회복에 긍정적인 영향을 끼칠 것으로 내다봤다.

생성형 AI 수요 급증에 맞춰 HBM과 2.5D 패키징을 중심으로 공급 확대를 위해 파운드리(반도체 위탁생산) 증설 계획도 밝혔다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 “생성형 AI 수요 급증으로 데이터센터 내 AI 가속기 모듈 부족 상황이 계속되고 있다”며 “추가로 수급 상황 모니터링 하면서 증설해나갈 계획”이라고 말했다.

메모리 시장의 ‘감산’ 기조는 내년에도 이어질 것으로 보인다. 김 부사장은 “내년에도 일부 선별적 감산이 이뤄지고 추가적인 선별적 생산 조정(감산) 등을 지속 실행할 예정”이라며 “특히 D램 대비 낸드의 생산 하향 조정 폭은 당분간 상대적으로 더 크게 운영될 것으로 예상된다”고 말했다.

이어 “특히 생성형 AI, 온디바이스 AI, 고성능 제품의 필수적인 첨단 공정 제품에 대한 수요가 빠르게 증가하고 있는 반면에 2022년에서 2023년에 발생된 업계 내 감산 영향으로 2024년 선단공정 공급 확대는 제한적일 것으로 전망된다”고 덧붙였다.

하지만 1a, 1b나노 D램 및 V7, V8 낸드 등 선단 공정은 생산 하향 조정 없이 공급 비중을 늘려나갈 계획이다.

내년 메모리 가격의 경우 “많은 변수가 영향을 주는 만큼 예상하는 것이 조심스럽다”면서도 “업황 회복과 함께 가격 상승은 이어지지만 상승 속도는 제품별 수급 속도에 따라 차이가 있을 수 있다”고 말했다.

(서울=뉴스1)