삼성전자, 초고속S램 개발…4메가급 내년 양산

삼성전자가 기존 싱크로너스 제품보다 속도가 2배 빠른 초고속 S램 반도체를 개발했다.

삼성전자(대표 윤종룡·尹鍾龍)는 5일 데이터처리속도 450㎒의DDR(Double Data Rate) 방식4메가S램을 개발, 내년 1·4분기(1∼3월)부터 네트워크관련 장비업체를 중심으로 공급에 나설 계획이라고 밝혔다.

S램은 집적도가 관건인 D램과 달리 속도와 저(低)전력에 주안점을 둔 메모리 반도체. 빠른 데이터 처리속도가 필요한 PC의 캐시 메모리나 네트워크, 이동통신기기 등에 사용된다. 최근 세계적으로 인터넷과 이동통신 시장이 확대되면서 수요가 급증하는 추세.

DDR방식의 S램은 이미 IBM 등이 개발했지만 가격이 일반 싱크로너스제품보다 2∼2.5배 비싸 시장이 형성되지 않고 있다.

삼성측은 기존 공정을 그대로 활용, 싱크로너스 제품과 비슷한 가격으로 DDR방식의 제품을 공급해 시장을 선점한다는 전략.

4메가 싱크로너스 S램은 15∼20달러, 16메가 제품은 70달러 이상이어서 같은 용량의 D램보다 20배 이상 비싸게 거래되고 있다.

〈홍석민기자〉smhong@donga.com