현대전자, 2세대 256M S D램 상용화 국내 첫 성공

현대전자는 8일 회로선폭(回路線幅) 0.15미크론(㎛·100만분의 1m)의 초미세 공정기술을 적용한 2세대 256메가 싱크로너스 D램 상용제품을 개발했다고 밝혔다.

현대전자가 국내최초로 상용화에 성공했다고 밝힌 2세대 256메가 싱크로너스 D램은 기존 1세대 제품에 비해 칩 크기가 40% 정도 작고 웨이퍼 한장당 만들 수 있는 칩 4수가 70% 가량 많은 제품으로 데이터 처리속도는 166㎒.

회로선폭 0.15미크론은 64메가D램과 128메가D램, 256메가D램 등의 생산에 적용되고 있는 0.18∼0.20미크론보다 선폭이 더 조밀한 것. 현재까지 개발된 세계최소 회로선폭은 0.13미크론이나 제품 양산에 적용된 최소 회로선폭은 0.18미크론이었다. 현대전자 관계자는 “집적도가 높기 때문에 가격경쟁력면에서 뛰어나다”면서 “내년 1·4분기부터 2세대 256메가 싱크로너스 D램을 본격 양산할 예정”이라고 말했다.

〈성동기기자〉esprit@donga.com