‘나노 D램’시대 열렸다… 삼성, 90나노미터 공정적용

기존 제품에 비해 생산성이 40% 정도 향상된 삼성전자의 512Mb D램. -사진제공 삼성전자

삼성전자가 90nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m) 공정의 D램 메모리 양산에 나서 ‘나노 D램’ 시대를 열었다.

삼성전자는 최첨단 300mm 웨이퍼 생산라인에 90나노 미세 공정을 적용해 512Mb(메가비트) 용량의 더블데이터레이트(DDR) D램을 세계 최초로 생산한다고 9일 밝혔다.

D램 생산에 90나노 기술을 사용하면 기존 0.10μm(마이크로미터·1μm는 100만분의 1m) 제품에 비해 생산성이 40% 정도 높아져 원가 경쟁력을 획기적으로 높일 수 있다고 회사측은 설명했다.

삼성전자는 지난해 업계 처음으로 90나노 2Gb(기가비트) 플래시메모리를 양산한 데 이어 D램 제품에도 업계 처음으로 90나노 공정을 도입함으로써 미세 공정기술 분야의 선두업체임을 과시했다.

이 회사는 또 올해 말부터는 90나노 DDR2 메모리를 양산하는 등 D램 전제품으로 나노 공정을 확대해 후발업체와의 격차를 벌린다는 전략이다.

김태한기자 freewill@donga.com