광주과기원 황현상 교수팀, 차세대 메모리 핵심기술 첫 개발

플래시 메모리의 뒤를 이을 차세대 메모리 핵심 원천기술을 국내 연구팀이 세계 최초로 개발했다.

산업자원부는 광주과학기술원 신소재공학과 황현상 교수팀이 플래시 메모리의 단점을 극복한 저항 변화 메모리(Resistance Random Access Memory·Re램)의 핵심 소재를 개발했다고 8일 밝혔다.

플래시 메모리는 정보를 자유롭게 저장하거나 삭제할 수 있어 주로 디지털카메라, MP3플레이어 등의 기억장치로 이용되지만 정보를 입력하거나 삭제하는 데 시간이 오래 걸리고 정보 입력 횟수가 10만 번으로 제한됐다.

이번에 개발한 핵심 물질은 ‘단결정 스트론튬타이타늄옥사이드(SrTiO3)’로 이것을 이용한 Re램은 정보 입력 및 삭제 속도가 플래시 메모리보다 20배 이상 빨라지고 정보 입력도 1000만 번까지 가능하다.

산자부에 따르면 미국 IBM, 일본 샤프 등 선진국 업체들을 비롯해 삼성전자 등 국내 업체들도 관련 기술 개발을 추진하고 있지만 아직 실용화가 가능한 수준의 연구 실적은 없는 것으로 알려졌다.

김창원 기자 changkim@donga.com