하이닉스, 60나노 DDR2 모듈 세계 첫 개발

하이닉스반도체는 세계 최초로 60나노급 1기가바이트(GB) DDR2 D램 메모리 모듈을 개발했다고 17일 밝혔다.

이 메모리 모듈은 하이닉스반도체가 올해 10월 세계 최초로 개발해 미국 인텔의 인증을 받은 60나노급 1기가비트(Gb) DDR2 D램 8개를 묶어 상용화할 수 있는 상품으로 만든 것. 이 제품도 인텔의 인증심사인 ‘AVL(Advanced Validation Lab)’ 실험을 통과했다.

하이닉스반도체에 따르면 1GB DDR2 D램 모듈은 기존 80나노급 667MHz 제품보다 데이터 처리속도는 20% 정도 빨라지고 저장용량은 50% 정도 늘어났다. 또 60나노급 미세 공정을 통해 제품 생산성도 50% 정도 높아졌다.

특히 이번 제품에는 하이닉스반도체만의 ‘3차원 입체 트랜지스터’와 ‘3층 금속배선’ 등의 새로운 기술이 적용됐다고 회사 측은 설명했다.

3차원 입체 트랜지스터는 전류를 전송 저장하는 트랜지스터를 입체적으로 설계해 누설 전류를 줄여 데이터 저장능력을 향상시키는 기술이다.

또 3층 금속배선 기술은 반도체 칩의 금속배선 층을 기존 2개 층에서 3개 층으로 늘려 데이터 전송 속도를 높이는 역할을 한다.

하이닉스반도체는 이번에 개발된 제품을 대용량 PC용 D램, 그래픽 D램, 모바일 D램 등의 제품으로 만들어 내년 상반기부터 양산한다는 계획이다.

김재영 기자 jaykim@donga.com