60나노급 1기가 D램, 삼성전자 세계 첫 양산

삼성전자는 세계 최초로 60나노급 공정을 적용한 1Gb(기가비트) DDR2 D램(사진) 생산을 시작했다고 1일 밝혔다.

이는 반도체 회로선의 폭이 60nm(나노미터·1nm는 10억 분의 1m), 즉 머리카락 굵기의 2000분의 1 정도임을 의미한다.

회로선 폭이 이처럼 좁아지면 하나의 반도체원판(웨이퍼)에 넣을 수 있는 부품 수가 그만큼 많아지기 때문에 고집적(高集積) 제품을 생산할 수 있다.

삼성전자는 지난해 3월 13일 역시 세계 최초로 80나노 공정을 적용한 512Mb(메가비트) D램을 양산했는데 그로부터 1년 만에 그보다 2세대 앞선 60나노급 1기가 D램 양산에 들어간 것이다.

삼성전자 관계자는 “60나노급 공정의 생산성은 기존 80나노 공정과 대비해 40% 이상 높고, 현재 D램 업계의 주력 양산 공정인 90나노보다는 배 이상 높기 때문에 원가 경쟁력을 획기적으로 끌어올릴 수 있다”고 말했다.

60나노급 D램의 시장 창출 규모는 올해 23억 달러에서 시작해 2009년까지 총 320억 달러에 육박할 것으로 전망되고 있다.

특히 올해 윈도 비스타의 출시로 시스템당 채용되는 평균 메모리 용량이 크게 확대되면서 1기가 D램의 시장 확대는 더욱 가속화할 것으로 보인다.

한편 삼성전자에 이어 메모리 반도체 분야 세계 2위인 하이닉스반도체도 5월경 60나노급 1기가 D램 생산에 들어가는 것으로 알려졌다.

부형권 기자 bookum90@donga.com