[IT비즈파일]하이닉스, 비메모리 0.18μm 공정기술 첫 상용화

하이닉스반도체는 비메모리 반도체용 0.18마이크로미터(μm) 고전압 공정기술을 개발했다고 25일 밝혔다.

이번에 개발한 기술은 액정화면(LCD) 구동칩(LDI) 등 높은 전압을 필요로 하는 비메모리 반도체 제조를 위한 핵심 기술로 0.18μm급 공정기술 상용화는 세계 최초라고 회사측은 설명했다.

기존의 0.25 및 0.35μm 공정과 달리 2∼3개 정도의 부품을 하나의 칩 안에 집적할 수 있어 제품 소형화 및 제조비용 절감에 유리하다는 것. 휴대전화 LDI에 활용하면 부품 크기를 20∼30% 정도 줄일 수 있어 더욱 작고 가벼운 단말기를 만들 수 있다.

하이닉스는 이 기술을 활용한 단일칩 초박막트랜지스터 액정표시장치(TFT-LCD) LDI 제품을 다음달부터 본격적으로 생산할 예정이라고 밝혔다. 또 제조 공정을 단순화해 소비전력을 더욱 낮춘 초저전력 제품을 연내에 선보일 계획이다.

하이닉스는 “LCD 패널의 수요가 크게 늘어나 LDI가 반도체 시장의 새로운 수익원으로 떠오르고 있다”며 “이번 기술 개발로 휴대전화기용 LDI 분야에서 일본 업체들을 제치고 업계 선두를 노릴 수 있게 됐다”고 밝혔다.

김태한기자 freewill@donga.com