[스포트라이트]‘황의 법칙’은 계속된다

황창규 삼성전자 반도체총괄 사장이 또 ‘큰일’을 냈다. 미국 인텔사(社)의 낸드플래시 기술을 대체할 수 있는 신개념의 차지트랩플래시(CTF·Charge Trap Flash) 기술을 토대로 세계 최초로 40nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m) 32Gb(기가비트) 낸드플래시메모리를 개발한 것. 해마다 반도체 집적도가 두 배씩 성장한다는 ‘황의 법칙’을 또다시 입증한 쾌거로 꼽힌다.

김남복 knb@donga.com