차세대메모리 산학연 공동연구센터 개소식

삼성-하이닉스-정부 240억 출연… 한양대-KAIST는 기술개발 이전

26일 한양대에서 열린 차세대메모리 산학연 공동연구센터 개소식에서 임채민 지식경제부 1차관과 권오현 삼성전자 반도체 부문 사장, 김종갑 하이닉스 사장, 박재근 차세대메모리개발사업단장 등이 기념 테이프를 자르고 있다. 사진 제공 지식경제부

삼성전자와 하이닉스반도체, 학계, 정부가 차세대 메모리반도체를 공동 개발하기 위한 연구센터를 26일 열었다. 차세대메모리개발사업단은 이날 한양대에서 임채민 지식경제부 1차관과 권오현 삼성전자 반도체 부문 사장, 김종갑 하이닉스 사장 등 150여 명이 참석한 가운데 차세대메모리 산학연 공동연구센터 개소식을 가졌다.

이 연구센터는 정부(120억 원), 삼성전자(60억 원), 하이닉스(60억 원)가 총 240억 원을 출연해 마련됐다. 삼성전자와 하이닉스의 연구원은 연구센터에 상주하면서 공동 연구개발(R&D)을 하고 한양대와 KAIST는 이곳에서 원천기술을 개발해 기업에 이전한다.

연구센터에서 개발되는 반도체는 차세대 메모리인 수직자기형 비휘발성 메모리(STT-MRAM)다. D램과 낸드플래시를 대체할 이 메모리의 세계 시장 규모는 2015년이면 530억 달러(약 61조1800억 원)에 이를 것으로 전망된다. 사업단장인 박재근 한양대 교수(전자컴퓨터공학)는 “일본은 2006년부터 도시바, NEC, 후지쓰 등이 STT-MRAM 공동 개발에 나섰다”며 “연구센터 개소를 계기로 일본의 추격을 따돌리고 메모리 반도체 강국의 입지를 다지겠다”고 말했다.

김유영 기자 abc@donga.com