KIST “차세대 반도체 후보물질 정보저장 안정성 높은 특성 발견”

국내 연구진이 실리콘 반도체 효율의 한계를 뛰어넘을 차세대 메모리 반도체의 후보 물질로 꼽히는 반데르발스 자성체의 정보저장 안정성이 다른 소재보다 10배 이상 높다는 연구 결과를 발표했다.

한국과학기술연구원(KIST)은 스핀융합연구단 최준우 박사팀이 이 같은 연구 결과를 국제학술지 ‘나노 레터스(Nano Letters)’에 발표했다고 4일 밝혔다.

반데르발스 자성체란 물질의 층과 층 사이가 분자 간 약한 상호작용으로 이루어진 자성체다. 연구팀은 반데르발스 자성체인 ‘Fe3GeTe2’의 특성을 분석한 결과 두께가 두꺼워짐에 따라 교환 바이어스의 크기가 약해지는 기존 자성체들과는 달리 두께에 영향을 거의 받지 않으며, 교환 바이어스의 크기가 10배 이상 클 수 있음을 찾아냈다. 이 연구 결과는 차세대 스핀 메모리의 정보 저장 안정성을 크게 향상시킬 수 있음을 뜻한다.

김민수 동아사이언스 기자 reborn@donga.com