LG반도체(대표 구본준·具本俊)가 차세대 초고속 메모리 반도체인 64메가 다이렉트 램버스D램을 세계 최초로 개발했다.
이 제품은 인텔이 싱크로너스D램(SD램)의 다음 버전으로 확정한 차세대 초고속D램.
이번에 발표된 램버스D램의 데이터 처리 속도는 8백㎒. 초당 정보처리능력은 신문 1만3천 페이지에 해당하는 1.6GB로 지금까지 나온 D램 가운데 가장 빠르다. 일반 데이터확장형(EDO) 표준D램보다 20배 이상, 1백㎒가 기본인 ‘PC―100’형 64메가SD램보다도 6∼8배 이상 빠른 속도.
LG반도체측은 “램버스D램은 지금까지 그래픽 등 고속 정보처리가 필요한 분야에만 사용됐으나 이번 제품은 인텔이 내년 하반기부터 사용키로 확정한 만큼 메모리의 주력 제품이 될 것”이라고 밝혔다. LG측은 올해 10월부터 양산에 들어간다는 계획이다.
현재 사용중인 SD램을 대체할 차세대 초고속D램 시장을 놓고 국내 반도체 3사는 3인3색의 치열한 경쟁을 벌이고 있다. 삼성전자는 DDR 방식에, 현대전자는 미국의 마이크론테크놀러지사와 함께 싱크링크 방식에 집중하고 있다.
LG에서 개발에 성공한 램버스D램은 다른 차세대D램에 비해 속도가 월등히 빠르고 인텔에서 지원한다는 것이 최대 장점. 그러나 원천 설계 기술을 갖고 있는 미국 램버스사에 로열티를 지불해야 하기 때문에 원가가 다소 비싸다. LG측은 “대량 생산에 들어가게 되면 가격 경쟁력을 충분히 확보할 수 있다”고 자신하고 있다.
〈홍석민기자〉smhong@donga.com