하이닉스반도체는 차세대 휴대전화기, 개인정보단말기(PDA), 디지털카메라 등에 적합한 초저전력 SD램 개발에 성공했다고 29일 밝혔다. 이번 제품은 회로선폭 0.13μm의 미세회로 공정기술을 적용한 256MB SD램으로 동작전압을 기존의 2.5∼3V에서 1.8V로 낮춰 전력소모를 50% 이상 줄였다. 하이닉스반도체는 “고부가가치 제품인 1.8V 초저전력 SD램은 2006년 세계시장규모가 15억달러(약 1조8100억원)로 늘어날 전망”이라고 설명했다.
최호원기자 bestiger@donga.com