삼성전자는 14일까지 일본에서 열리는 반도체학회 ‘VLSI 심포지엄’에서 65nm(나노미터)급 시스템온칩(SoC) 기술 등 차세대 반도체 기술 관련 논문 22편을 발표한다고 10일 밝혔다.
삼성전자는 이번 심포지엄에서 참여업체로는 가장 많은 기술논문을 제출해 △시모스(CMOS) P램 △90nm 코드저장형(NOR) 플래시메모리 △90nm S램 등 핵심 요소기술을 소개할 계획이다.
삼성전자는 이번 심포지엄에서 참여업체로는 가장 많은 기술논문을 제출해 △시모스(CMOS) P램 △90nm 코드저장형(NOR) 플래시메모리 △90nm S램 등 핵심 요소기술을 소개할 계획이다.