삼성전자는 세계 최초로 70nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m) D램 공정기술 개발에 성공했다고 3일 밝혔다. 이 기술이 양산에 적용될 경우 기존 80nm 공정에 비해 30%가량 생산성이 향상될 것이라고 회사측은 설명했다. 회로 선폭 80nm 이하의 미세공정은 좁은 선폭으로 인해 축전기(콘덴서)가 옆으로 쓰러지는 현상이 생겨 공정 개선이 쉽지 않다. 삼성전자는 회로 내 축전기가 쓰러지는 현상을 방지하기 위해 금속을 이용한 축전기 제작기술을 이용해 70나노미터 공정기술 개발에 성공했다는 것. 삼성전자는 이번에 개발한 금속 축전기 공정기술을 90nm 512Mb D램에 적용해 상용화 검증을 마쳤으며 올해 안에 70nm급 512Mb 제품을 선보일 예정이다.