[日 2차 경제보복]5세대보다 성능 10%↑ 전압 15%↓ 칩 크기 줄여 생산성 20%이상 향상… 기술 초격차 유지에도 가속도
이 제품은 ‘속도, 생산성, 절전’이라는 메모리반도체의 3가지 핵심 경쟁력이 모두 향상됐다. 이전 제품인 5세대 V낸드보다 성능을 10% 이상 높이면서도 동작 전압을 15% 이상 줄였고, 공정 수와 칩 크기를 줄여 생산성도 20% 이상 향상시켰다. 메모리반도체의 일종인 낸드플래시는 D램과 달리 전원이 꺼져도 한 번 저장된 정보는 지워지지 않는 특징이 있어 주로 저장장치에 쓰인다.
삼성전자는 100단 이상의 셀(정보를 저장하는 공간)을 한 번에 뚫는 단일공정(1 Etching Step) 기술로 경쟁력 향상이 가능해졌다고 설명했다. 삼성전자 측은 “세 번만 쌓아도 300단 이상의 초고적층 차세대 V낸드를 만들 수 있어 앞으로 제품 개발 주기는 더 단축될 것”이라고 밝혔다. 낸드는 적층 단수가 높아질수록 용량이 커진다. 하지만 층간의 절연상태를 균일하게 유지하기 어려운 데다 전자의 이동경로도 길어져 동작 오류가 많아지고, 데이터 판독시간이 지연되는 문제가 흔히 발생한다. 이 때문에 반도체 업계에서는 낸드 제품의 단수(段數)를 올리면서도 오류 없이 속도를 유지하는 것이 기술력의 척도로 평가된다.
삼성 관계자는 “올해 초에 이재용 부회장이 ‘위기 때 진짜 실력이 나온다’라고 한 적 있다. 그 말 그대로 업황 부진, 일본 수출 규제, 미중 무역갈등 등 현재의 위기 속에 실력을 보여주자는 의지를 다지고 있는 것”이라고 말했다.
서동일 기자 dong@donga.com