삼성전자가 최첨단 반도체 패키징 기술인 ‘12단 3차원 실리콘 관통전극(3D-TSV)’ 기술을 업계 최초로 개발했다고 7일 밝혔다. 반도체 칩을 와이어를 이용해 연결하는 기존 방식(와이어 본딩)과는 달리 머리카락 굵기의 20분의 1 수준인 전자이동통로 6만 개를 만들어 칩을 서로 연결하는 기술이다. 칩 사이에 신호를 주고받는 시간이 짧아져 용량, 속도, 소비전력이 획기적으로 개선된다고 삼성 측은 밝혔다. 삼성전자 관계자는 “종이의 절반 이하 두께로 가공한 D램 칩 12개를 쌓아 수직으로 연결하는 고도의 정밀성이 필요한 기술”이라고 설명했다.
이번 신기술 개발로 기존 8단 적층 제품(HBM2)과 같은 두께(720μm)를 유지하면서도 12개의 D램 칩을 쌓을 수 있다. 이 때문에 삼성 반도체를 사용하는 정보기술(IT) 업체들은 디자인 변경 없이도 차세대 고용량 반도체를 전자제품에 탑재할 수 있다.
유근형 기자 noel@donga.com