SK하이닉스
SK하이닉스는 기술 혁신과 이를 위한 대규모 연구개발(R&D) 투자로 급변하는 미래 반도체 시장을 선도해 나간다는 방침이다.
SK하이닉스는 2017년 1분기(1∼3월)에 업계 최초로 72단 3D 낸드플래시 개발에 성공했다. 지난해 초에는 자체 개발한 펌웨어와 컨트롤러를 탑재한 72단 3D 낸드 기반 4 테라바이트 SATA eSSD(enterprise SSD) 및 직렬구조의 고속 입출력 인터페이스(PCle)형 SSD 제품을 출시하며 고부가가치 기업용 SSD 시장에 진출했다.
또한 지난해 11월 96단 적층 ‘CTF(Charge Trap Flash) 기반 4D 낸드플래시’ 개발에 성공했다. 이 제품은 CTF 셀 구조와 PUC(Peri Under Cell) 기술을 결합한 것으로 SK하이닉스는 CTF 기반에서는 최초로 PUC를 도입해 업계 최고 수준의 성능과 생산성을 동시에 구현했다. 기존 72단 3D TLC 낸드플래시와 비교했을 때 칩(Chip) 사이즈는 30% 이상 줄었고, 웨이퍼당 비트 생산은 1.5배 증가했다. 이러한 혁신을 통해 이 제품의 쓰기와 읽기 성능은 기존 72단 제품보다 각각 30%, 25% 향상됐고, 전력 효율 또한 150% 개선했다.
SK하이닉스가 이처럼 끊임없는 기술혁신을 이룰 수 있었던 것은 대규모 R&D 투자가 이뤄졌기 때문이다. SK하이닉스는 2013년 이후 연구개발비로만 매년 1조 원 이상을 투입하고 있다. 2016년에는 매출액 대비 12.2%에 달하는 2조967억 원을 집행하고, 지난해에도 2조8950억 원을 연구개발비로 투자하는 등 SK하이닉스는 기술집약적 산업인 메모리반도체 산업의 주도권을 지켜나가기 위해 전략적인 투자를 이어가고 있다.
김재형 기자 monami@donga.com