[커버스토리]‘EUV 공정’ 4세대 D램 연내 양산
SK하이닉스 메모리반도체 생산공장 내부 클린룸에서 직원들이 웨이퍼를 들고 있다. SK하이닉스 제공
17일 반도체 업계에 따르면 SK하이닉스는 다음 달 1일 M16 준공식을 개최하는 것으로 알려졌다. 최태원 SK그룹 회장을 비롯해 박정호 SK하이닉스 부회장, 이석희 SK하이닉스 사장 등이 참석할 것으로 알려졌다. 신종 코로나바이러스 감염증(코로나19) 사태를 감안해 오프라인과 온라인을 병행해 행사를 진행할 예정이다.
SK하이닉스는 올해 하반기(7∼12월)부터 M16 공장에서 EUV 공정을 적용한 ‘첨단 4세대 10나노급(1a) D램’을 양산할 계획이다. 현재까지 이 제품의 양산에 성공한 기업은 없다. SK 사정에 정통한 재계 관계자는 “M16 준공식을 시작으로 SK하이닉스는 EUV 공정 적용 4세대 10나노급(1a) D램 양산 시기를 최대한 앞당기기 위해 총력을 다할 계획”이라고 말했다. 이석희 사장도 올해 신년사에서 “D램에 있어서 더 이상 ‘빠른 추격자(패스트 팔로어)’가 아닌 ‘선도자(퍼스트 무버)’로서 시장을 주도해 나가겠다”는 포부를 밝히며 M16을 차세대 성장 동력으로 꼽았다.
EUV는 반도체 미세 공정의 한계를 극복할 기술로 불린다. 반도체를 생산하려면 우선 웨이퍼에 ‘밑그림’과 같은 회로를 그려야 하는데 EUV는 기존 공정인 불화아르곤(ArF) 빛보다 파장이 짧아 훨씬 세밀한 회로를 그릴 수 있다. 굵기가 굵은 펜으로 얇은 선을 그리는 데 한계가 있는 것과 같은 이치다. 반도체 업계에서는 SK하이닉스가 EUV 공정을 적용해 4세대 10나노급(1a) D램 양산에 성공할 경우 기존 1세대 10나노급(1x) D램보다 웨이퍼당 생산성을 최대 2배까지 높일 수 있을 것으로 예상한다.
메모리반도체인 D램, 낸드플래시를 사업의 핵심 축으로 삼고 있는 SK하이닉스는 M16(D램), 인텔 사업부문 인수(낸드플래시)를 중심으로 사업경쟁력을 강화할 계획이다. 목표대로 M16 공장이 하반기 4세대 10나노급(1a) D램 양산을 시작하면 삼성전자와 더불어 한국의 D램 초격차 지위를 공고히 할 것으로 예상된다. 삼성전자는 지난해 9월 평택 2라인에서 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 3세대 10나노급(1z) 16Gb 모바일 D램 생산을 시작했고, 4세대 기술 개발을 진행 중이다.
반도체 업계에서는 올해 메모리반도체 시장 규모가 지난해(1200억 달러) 대비 200억 달러 성장한 1417억 달러에 달할 것으로 전망하고 있다. 반도체 업계 관계자는 “올해 메모리반도체 시장이 2018년 이후 약 2년 만에 ‘슈퍼 사이클(초호황기)’을 맞이할 것이란 전망에 힘이 실리고 있다”며 “M16 본격 양산에 돌입하면 SK하이닉스의 성장세도 더욱 커질 것”이라고 말했다.
서동일 기자 dong@donga.com