이재용 ‘기술 삼창’…곧이어 삼성전자 3나노 30일 양산 전망

삼성전자가 세계 최초로 3나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1ｍ) 공정 기반의 반도체 양산에 돌입한다.

29일 업계에 따르면 삼성전자는 30일께 3나노 공정 양산 돌입을 공식 발표한다. 첨단산업의 성장을 뒷받침하기 위한 고효율·저전력·초소형 초미세공정 칩 기술 분야에서 신기원을 이룬 것이다.

삼성전자는 3나노 공정 양산뿐 아니라 차세대 공정도 경쟁사보다 먼저 도입한다.

GAA(Gate-All-Around) 기술은 초미세 공정의 가장 큰 난관으로 여겨지는 전력 효율 저하 문제를 극복할 수 있는 신기술이다. 업계에 따르면 3나노 GAA 공정을 활용하면 7나노 핀펫 대비 칩 면적은 45%, 소비전력의 경우 50% 절감할 수 있다. 성능도 약 35% 향상될 전망이다.

반면 대만의 TSMC는 GAA 기술을 2나노 공정부터 적용할 예정이다. 2026년께 첫 제품이 나올 전망이어서 삼성전자는 선단 공정 경쟁에 한발 앞서 나가게 됐다.

삼성전자는 이어 내년에는 3나노 2세대 제품을, 2025년에는 2나노 제품을 양산하겠다는 계획이다.

삼성전자가 미래 먹거리로 삼은 파운드리(반도체 위탁생산) 시장은, TSMC가 올해 1분기(1~3월) 기준 53.6%로 절반 이상을 점유하고 있다.

삼성전자는 점유율 16.3%로 2위지만, TSMC와 격차가 벌어지고 중국 업체들의 추격이 거세지고 있다. TSMC와 점유율 격차는 올해 1분기 33.8%p에서 37.3%%p로 3.5%p 커졌다. 또 중국의 SMIC, 화홍그룹(HuaHong Group), 넥스칩(Nexchip) 등 3개 업체의 합산 점유율이 10%를 처음 넘겼다.

업계에서는 삼성전자가 3나노 공정 최초 양산과 차세대 공정 도입으로 고객사 확보 경쟁에서 우선권을 쥐게 된 것으로 평가하고 있다. 다만 우위를 지키려면 수율(양산품 비율) 관리와 고객사별 최적화 등이 관건이 될 것으로 보고 있다.

삼성전자 관계자는 “3나노 양산을 상반기 중에 시작한다는 계획에는 변함없다”면서 “차질 없이 준비 중”이라고 밝혔다.

한편 최근 이재용 삼성전자 부회장이 유럽 출장에서 돌아와 “첫 번째도 기술, 두 번째도 기술, 세 번째도 기술”이라고 강조한 바 있다.

[서울=뉴시스]