산업통상자원부는 삼성전자가 세계 최초로 3나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 파운드리 공정 기반의 반도체 양산에 성공했다고 25일 밝혔다. 정부는 3나노 반도체의 수요를 이끌 관련 산업의 경쟁력을 강화한다는 방침이다.
이창양 산업부 장관은 이날 삼성전자 화성캠퍼스에서 개최된 3나노 파운드리 양산 출하식에 참석했다.
이번 3나노 반도체 양산 성과는 삼성전자가 TSMC, 인텔 등 파운드리 경쟁사를 제치고 세계 최초로 달성한 것이다. 기존의 반도체 기술을 혁신적으로 개선한 ‘게이트 올 어라운드(GAA)’ 구조를 활용했다는 점에서 기술적 의의가 높다고 평가된다.
산업부는 또한 국내 소부장 기업과 시스템반도체 기업들이 초미세 공정용 소재, 장비, 설계자산(IP) 등을 공동 개발한 점을 고려하면 한국 반도체 산업계가 공동으로 이룬 성과라고 평가했다.
아울러 첨단 반도체 제조 시설은 국가 안보자산이기 때문에, 이번 3나노 반도체 양산 성공은 경제 안보 차원에서도 의미가 크다.
이창양 장관은 이날 삼성전자 임직원들과 기술 개발에 힘을 보탠 반도체 산업계의 노력에 감사를 표하며, 3나노 공정의 높은 수율을 위해 삼성전자와 시스템반도체 업계, 소부장 업계가 힘을 모아달라고 당부했다.
이 장관은 “정부도 지난주 발표한 ‘반도체 초강대국 달성전략’을 바탕으로 민간 투자 지원, 인력 양성, 기술 개발, 소부장 생태계 구축에 노력을 아끼지 않겠다”며 “이런 노력이 미세공정 경쟁에서 앞서가기 위한 기술 경쟁력 제고와 전문 인력 양성에 기여할 것”이라고 말했다.
[세종=뉴시스]