SK하이닉스, ‘최고속도’ 10나노 D램 인텔서 검증

“속도 33%↑, 전력 소모 20%↓”
삼성은 12나노 양산… 경쟁 치열

SK하이닉스는 10nm(나노미터)급 5세대(1b) 최선단 기술을 적용한 서버용 DDR5 제품을 최근 인텔의 제품 검증 절차에 투입했다고 30일 밝혔다. 앞서 18일 삼성전자도 같은 5세대 공정인 12nm급 DDR5 제품 양산에 들어갔다고 밝혀 최첨단 메모리 기술 경쟁이 치열해지는 양상이다.

SK하이닉스는 해당 D램 제품이 최근 인텔의 ‘데이터센터 메모리 인증 프로그램’ 검증 절차에 들어갔다고 설명했다. 이 절차를 통과하면 향후 인텔의 차세대 서버용 칩에 실제 적용될 수 있게 된다.

신제품 DDR5는 동작 속도가 6.4Gbps(초당 6.4기가비트)로 현재 시장에 출시된 DDR5 중 최고 속도를 구현한다. DDR5 개발 단계에서 공개된 초창기 시제품보다도 데이터 처리 속도가 33% 향상된 수준이다. 직전 단계 제품인 4세대(1a) DDR5 대비 전력 소모를 20% 이상 줄였다.

하반기(7∼12월) 반도체 경기가 회복될 것이란 전망이 제기되면서 시장 선점을 위한 첨단 공정 경쟁은 더욱 심화될 것으로 보인다. 김종환 SK하이닉스 D램개발담당(부사장)은 “업계 최고 수준의 D램 경쟁력을 바탕으로 실적 개선을 가속화할 것”이라며 “내년 상반기에는 최선단 1b 공정을 고대역폭 메모리(HBM) 차세대 제품 등으로도 확대 적용할 예정”이라고 밝혔다.


곽도영 기자 now@donga.com