[정보통신]삼성전자 세계최초 4기가 D램 기술 개발

삼성전자가 세계 최초로 차세대 최첨단 D램 기술인 `4기가 D램 반도체 제품기술'을 개발해 시제품을 생산하는데 성공했다.

삼성전자는 7일(미국시간) 샌프란시스코에서 열린 ISSCC(국제반도체학회)에서 0.10미크론(㎛) 초미세 공정기술을 적용한 차세대 4기가 메모리 반도체 제품 기술개발과 관련된 기술논문을 발표, 세계최초로 4기가 D램 시대를 열었다고 밝혔다.

이번에 발표된 논문에는 고집적도 대용량 메모리의 특성을 소화해 낼 수 있도록 하는 미세증폭회로 및 안정화회로 관련 기술과 저(低)전력화와 고속동작을 가능하도록 하는 복합설계 기술 등이 포함돼 있다.

삼성전자가 시제품 단계로 개발한 4기가 D램의 용량은 42억9천만비트. 1개의 칩에 신문 3만2천페이지, 영문 5억자, 단행본 640권, 정지화상 1천600장, 음성데이터 64시간 분량을 저장할 수 있는 첨단 제품이다.

특히 삼성전자는 이번에 개발한 4기가 D램 공정기술인 0.10미크론 기술을 기흥공장에서 양산중인 256메가 및 128메가 D램 제품에 적용할 경우 60% 이상의 원가절감 효과가 예상돼 반도체 원가 경쟁에서도 확고한 우위를 확보하게 된다고 밝혔다.

0.10미크론 기술은 사람 머리카락 굵기의 1천분의 1에 해당하는 초미세 가공기술이다. 특히 0.10미크론 가공에 필요한 핵심 공정인 고해상도 사진현상 기술, 셀(Cell) 정전용량 확보 기술, 저 저항 배선 기술 등 최첨단 기술을 확보해야만 가능한 기술이라고 이 회사는 설명했다.

삼성전자 관계자는 "오는 2004년 초기시장이 형성될 것으로 예상되는 4기가 D램 제품 시장양산에서 선점을 하게 됐다"며 "64메가 이후 앞서 나가기 시작한 반도체 D램 기술력에서 다른 경쟁업체와의 격차를 더욱 벌릴 수 있을 것"이라고 말했다.

또한 삼성전자는 이번 4기가 기술개발과정에서 총 140여건의 핵심 반도체 기술특허를 국내외에 출원, 차세대 반도체 기술특허 분야에서 원천특허 확보를 통해 로열티 수입을 강화할 수 있는 기반도 마련했다고 밝혔다.

이국명<동아닷컴 기자>lkmhan@donga.com