하이닉스, 0.13㎛급 기술적용 프라임칩 7월부터 양산

하이닉스반도체가 미국 마이크론테크놀로지와의 매각협상과는 별도로 하반기부터 회로선폭 0.13㎛(마이크로미터)급 기술이 적용된 반도체 D램을 생산한다.

하이닉스는 16일 “6월까지 회로선폭 0.15㎛급 공정의 국내외 5개 D램 팹(FAB) 중 경기 이천시와 충북 청주시의 2팹에 0.13㎛급 공정기술을 적용하는 프라임 칩(prime chip) 프로젝트를 완료, 7월부터 해당 기술이 적용된 칩을 본격 양산할 계획”이라고 밝혔다.

프라임 칩 프로젝트는 회로선폭을 0.18㎛에서 0.15㎛로 미세화한 블루칩(blue chip) 프로젝트의 연장선상에서 이뤄지는 것. 기존의 생산장비를 활용하기 때문에 투자비는 많지 않을 것이라고 하이닉스 측은 설명했다. 이 기술이 양산에 적용되면 웨이퍼당 칩 생산량이 늘어나게 돼 원가 경쟁력이 30% 이상 높아질 것으로 회사 측은 기대하고 있다.

하이닉스는 프라임 칩 프로젝트를 매듭지은 뒤 내년에는 회로선폭을 0.11㎛로까지 좁히는 ‘골든 칩(golden chip)’ 프로젝트도 추진해 업계 최고의 원가경쟁력을 갖출 계획이라고 강조했다. 하이닉스는 이 밖에도 최근 이천 메모리 연구소 내에 ‘300㎜ 웨이퍼 기술개발팀’을 구성, 300㎜ 웨이퍼 양산에 대비한 연구개발 등의 작업을 진행 중이며 이천과 청주의 일부 최신 팹을 300㎜ 팹으로 전환하는 것도 준비하고 있다.

박정훈기자 sunshade@donga.com