반도체 연구개발에 작년 2조9000억 원 집중 투자

SK하이닉스

SK하이닉스는 정보통신기술(ICT) 고도화로 급변하는 미래 반도체 시장을 선도하기 위해 ‘기술 혁신’과 ‘생산 효율 증대’를 강화하고 있다.

2017년 업계 최초로 72단 3D 낸드플래시를 개발한 SK하이닉스는 지난해 11월 96단 적층 ‘CTF(Charge Trap Flash) 기반 TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시’ 개발에도 성공했다. 96단 4D TLC 낸드플래시의 쓰기와 읽기 성능은 기존 72단 제품보다 각각 30%, 25% 향상됐고, 전력 효율은 150% 개선됐다. 4D 낸드를 기반으로 고용량·고성능 솔루션 라인업 강화로 시장 대응력을 강화할 예정이다.

D램 시장에서는 2017년 4월 개발한 세계 최고 속도의 GDDR6(Graphics DDR6) 그래픽 D램을 통해 고품질, 고성능 그래픽 메모리 시장에 대응하는 한편 지난해 2세대 10나노급(1y나노) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램 개발도 마쳤다.

차세대 D램인 16Gb DDR5 D램도 개발해 주요 칩셋 업체에 제공하면서 상용화 가능성을 높였다. DDR5 시장이 열리는 2020년부터 본격 양산을 개시해 고객 수요에 적극 대응할 계획이다.

SK하이닉스는 2016년 매출액의 12.2%에 달하는 2조967억 원을 연구개발(R&D)에 집행하는 등 전략적인 투자를 이어가고 있다. 지난해에는 사상 최고 금액인 2조8950억 원을 R&D에 투자했다.

늘어나는 메모리 반도체 수요에 대응하기 위한 설비 투자도 계속되고 있다. 지난해 완공된 충북 청주 반도체 공장(M15)에는 2조2000억 원을 들였고 2020년 하반기까지 3조5000억 원을 투자해 경기 이천에 신규 반도체 공장(M16)을 건설할 예정이다.

신동진 기자 shine@donga.com