SK하이닉스, EUV 기술 첫 적용 10나노급 4세대 D램 양산

생산성 25% 높여 원가 절감 기대
전력 소비 적어 탄소 배출 줄여
인텔 낸드 부문 인수도 눈앞

SK하이닉스는 10나노급 4세대(1a) 미세공정을 적용한 모바일 D램의 양산을 이달 초 시작했다고 12일 밝혔다. SK하이닉스 제공

SK하이닉스가 처음으로 극자외선 노광장비(EUV) 기술을 적용한 10나노급 4세대 D램 양산에 성공했다. EUV는 반도체 웨이퍼에 회로를 그릴 때 기존 장비보다 더 미세한 nm(나노미터) 단위의 구현을 가능케 하는 장비로 올해 2월 준공된 SK하이닉스의 신규 반도체 공장 ‘M16’에 네덜란드 ASML사 제품이 처음 도입됐다.

SK하이닉스는 10나노급 4세대(1a) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) LPDDR4 모바일 D램의 양산을 이달 초 시작했다고 12일 밝혔다.

이번 신제품 1a D램은 공정의 미세화로 이전 세대(1z)의 같은 규격 제품보다 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 제품 수량이 약 25% 늘어났다. 올해 전 세계적으로 D램 수요가 늘어날 것으로 전망되는 만큼 생산성 향상이 원가 절감에 주효할 것으로 SK하이닉스는 기대한다고 밝혔다.

또 신제품은 기존 LPDDR4 모바일 D램 규격의 최고 속도(4266Mbps)를 안정적으로 구현하면서도 기존 제품 대비 전력 소비를 약 20% 줄였다. 이를 통해 탄소 배출을 줄일 수 있어 ESG(환경, 사회, 지배구조) 경영 관점에서도 의미가 있다고 SK하이닉스는 설명했다.

EUV 장비는 대당 가격이 2000억 원에 이르지만 반도체 업계에서는 향후 EUV 활용 수준이 기술 리더십의 우위를 결정짓는 요소가 될 것으로 전망하고 있다. SK하이닉스는 이번 LPDDR4 제품에 이어 지난해 10월 세계 최초로 출시한 차세대 D램 DDR5에도 내년 초부터 1a 기술을 적용할 계획이다.

SK하이닉스는 인텔 낸드플래시 메모리 사업부 인수에서도 9분 능선을 넘어 향후 ‘D램·낸드 쌍끌이’ 기대감이 커지고 있다. 지난달 인수 심사 과정에서 영국 정부의 승인 발표가 나면서 심사 대상 6개국 중 중국과 싱가포르 심사만 남겨두고 있는 상황이다.

SK하이닉스가 인텔 낸드 부문 인수를 마무리할 경우 글로벌 낸드플래시 시장에서 점유율 2위로 올라서게 된다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 올해 1분기(1∼3월) 낸드플래시 시장 점유율에서 삼성전자가 1위(33.4%), 키옥시아(18.4%)가 2위, 웨스턴디지털(14.2%)이 3위를 차지했고 SK하이닉스(12.2%)가 그 뒤를 이었다.