삼성전자 “ARM과 3나노 이하 첨단공정 협력 강화”

파운드리 사업부 시너지 확대 속도
反엔비디아 연합 동참 여부 관심

반도체 제조용 첨단 장비 한눈에 21일 경기 수원시 영통구 수원컨벤션센터에서 열린 ‘2024 스마트 SMT&PCB 어셈블리 전시회’에 반도체 산업 관련 자동화 장비들이 전시돼 있다. 전시회는 23일까지 열린다. 수원=뉴스1

삼성전자가 인공지능(AI) 반도체 파운드리(위탁 생산) 분야에서 반도체 설계 지식재산(IP) 전문 ARM과의 시너지 확대에 속도를 낸다. 최근 ARM의 최대주주인 소프트뱅크가 엔비디아에 맞서 ARM을 중심으로 한 AI 생태계 확대를 위해 1000억 달러(약 133조 원) 규모의 투자 유치에 나선 가운데 삼성전자도 ‘ARM 연합군’의 한 축을 맡을지 기대가 커지고 있다.

삼성전자는 ARM의 차세대 칩 설계를 위한 3nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m) 이하 첨단 공정에서 협력을 강화한다고 21일 밝혔다. ARM은 ‘팹리스(반도체 설계)의 팹리스’라 불리는 기업으로 삼성전자, 퀄컴, AMD 등 주요 팹리스 업체들의 시스템 반도체가 모두 ARM의 설계 IP를 기반으로 하고 있다.

이번 협력을 통해 삼성전자 파운드리 사업부는 최첨단 게이트올어라운드(GAA) 공정에 ARM의 차세대 시스템온칩(SoC·여러 시스템을 구현하는 단일 칩) IP를 적용할 계획이다. GAA는 핀펫 다음으로 등장한 차세대 트랜지스터 구조로, 핀펫 공법 대비 데이터 처리 속도와 전력 효율 등을 높일 수 있다. 이를 통해 삼성전자는 향후 주요 팹리스 업체들이 ARM 설계를 기반으로 최신 AI 칩 생산을 할 때 공정에 대한 접근성을 높이고 개발에 소요되는 시간과 비용을 최소화하는 등 ARM부터 팹리스, 파운드리에 이르는 과정을 최적화하는 데 기여할 것으로 내다봤다.

삼성전자는 2022년 6월 세계 최초로 GAA 기술을 적용한 3나노 양산에 성공했다. 현재 3나노 1세대 제품을 본격적으로 양산하고 있고, 2세대 제품으로 고도화하고 있다.