반도체 기술 中유출 혐의… 삼성전자 前임원 등 구속

삼성전자와 하이닉스 임원을 지낸 반도체 전문가와 전 삼성전자 수석연구원이 우리나라 반도체 기술을 중국에 빼돌린 혐의로 구속됐다.

6일 서울경찰청 산업기술안보수사대는 전직 삼성전자 및 하이닉스 반도체 부문 임원 출신 최모 씨(66)와 전직 삼성전자 수석연구원 오모 씨(60)를 부정경쟁방지 및 영업비밀보호에 관한 법률 위반 혐의로 전날 구속했다고 밝혔다. 이들은 2014년 삼성전자가 독자 개발한 20nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m)급 D램 생산 공정에 필요한 온도, 압력 등 정보가 담긴 자료를 중국에 유출한 혐의를 받고 있다.

최 씨는 삼성전자 상무, 하이닉스 부사장을 지냈고 2021년 중국 청두시에서 투자를 받아 ‘청두가오전 하이테크놀로지(CHJS)’라는 중국 기업을 설립했다. 그는 지난해 6월 빼돌린 삼성전자 반도체 공장 기술을 바탕으로 중국에 ‘복제 공장’을 설립하려 한 혐의로 구속됐으나 5개월 뒤 보석으로 석방됐다. 오 씨 역시 최 씨가 세운 청두가오전의 임원을 지낸 것으로 알려졌다. 경찰 관계자는 “이들이 사실상 기술을 통째로 넘긴 수준으로 보고 있다”며 “구속 상태로 수사를 진행한 뒤 조만간 송치할 계획”이라고 밝혔다.