“最高可判處18年有期徒刑”，防止半導體等技術外泄

今後，對半導體等國家核心技術泄露犯的處罰將從最高9年有期徒刑強化到18年。即使是初犯，也建議宣判實刑，即使泄露未遂，如果不完全返還並廢棄被盜的技術，也不會減刑。大法院的量刑標準遠遠低於法定最高刑罰，因此引發了“從輕處罰”的爭議，量刑委員會大幅提高了建議量刑。

19日，大法院量刑委員會（委員長李祥源）表示，前壹天召開全體會議，表決通過了《知識產權•技術侵害犯罪量刑標準修訂案》。量刑委員會建議，新設此前沒有特別量刑標準的國家核心技術等國外侵害條款，最高判處18年有期徒刑。另外，對於之前與侵犯商業秘密行為被捆綁在壹起，最高刑期僅為9年的產業技術海外泄露犯罪，也修改了量刑標準，最高可處以15年有期徒刑。

此前，有人指出，將半導體等國內企業的核心技術轉移到國外的犯罪不斷發生的主要原因之壹是量刑標準低。雖然2019年《產業技術保護法》修訂後技術泄露犯罪量刑有所增加，但法院的量刑標準沒有改變，因此在審判中被判緩期執行的事例層出不窮。但是，由於此次量刑委員會的決定，法院制定了可以對泄露犯判處重刑的指導方針。

量刑委員會還新設了規定，如果竊取國家核心技術和產業技術，即使是初犯也不會酌情考慮，並限制緩期執行。另外，考慮到泄露對象是容易復制的數字設計圖等，即使泄露嘗試失敗，也只有在受害物品被返還並完全廢棄的情況下，才能將其作為減輕刑罰的因素。

考慮到泄露技術的金錢價值很難客觀計算的特性，加重處罰對象中還包括“侵害投入相當金額研究開發費的專利權、商業秘密、技術等的情況”。在“對保密有特別義務的人”的範圍中，明確包括客戶和派遣職員等，在技術泄露時加重處罰。此次修訂案將通過聽證會等程序，於3月25日確定。


趙東住 djc@donga.com