三星開拓了‘1 GIGA D RAM’的新時代

三星成功開發了‘1 GIGA D RAM’的半導體技術. 上月18日﹐在美國夏威夷召開的第20屆超高集成半導體（VLSI--Very Large Scale Integration）研討會上﹐三星宣佈已實現了電路0.11μm‘1 GIGA D RAM’技術的商業化.(1μm=1/100萬m)

由於半導體電路的大小將直接影響半導體的集成性能﹐所以一直以來﹐各商家都為此而展開著激烈的競爭. 至今﹐半導體技術已能達到0.10μm以下﹐但此次三星突破了傳統的科研﹐使大批量生產成為可能.

從81年起開辦的VLSI研討會﹐是由INTEL﹑NEC﹑IBM﹑東芝等大公司參加的﹐半導體世界級權威性國際會議.