三星電子成功開發了應用超微細技術“納米（十億分之一）級”工程技術的D記憶體半導體批量生産技術。無論是在記憶體半導體，還是在非記憶體半導體領域，這種技術均是世界首次被開發成功的。
16日，三星電子在漢城新羅飯店舉行了國內外記者招待會，公佈了正成功開發90納米D記憶體批量生産技術的消息。並同時公佈已成功試製了應用90納米工程技術的2GB NAND（資料儲存用）快閃記憶體。
此次成功開發的90納米D記憶體是電路直徑僅相當於人的一根頭髮直徑的1250分之1的産品。三星電子計劃于明年第三、四季度（7~9月）將這一技術應用於正在生産中的300mm(12英寸)晶片生產線上，批量生産512兆、1GBD記憶體産品。屆時，與現在使用的0.12微米（um）工程技術相比，生産效率將提高2倍以上。
與此同時被開發出來的2GBNAND快閃記憶體將于明年上半年之內進入批量生産。利用該産品可以製作出大拇指大小的、容量爲4GB的記憶體卡，4GB byte能儲存70張音樂CD或4部電影。
三星電子記憶體事業部部長黃昌圭稱：“在半導體工程技術方面，0.10um一直被稱爲‘魔鬼極限’，現在已經成功開發出應用90納米批量生産D記憶體的技術，並成功試製了閃光記憶體，這表明我們與其他競爭企業的優勢已經擴大爲1年以上，有助於我公司的市場攻略。”
宇利證券分析師（半導體專業）崔錫布稱：“如果把三星電子開發成功的納米級生産技術應用於300mm晶片上，從理論上講可以提高生産效率達3~4倍，在價格方面比日本和臺灣的競爭企業更具競爭性。”“高集成産品NAND快閃記憶體前景看好，將提高半導體整個領域的生産性能。”
雖然現在正處於半導體不景氣時期，但是三星電子半導體部門在3季度的純利將高於2季度（4~6月）的10700億韓元。
黃部長當天稱：“三星電子佔據同行業第一的NAND型快閃記憶體和DDR記憶體市場前景良好，3季度的銷售額將優於2季度。”
朴重炫 sanjuck@donga.com
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