삼성전자가 초()미세기술인 나노(10억분의 1)급 공정기술을 적용한 D램 메모리 반도체 양산기술 개발에 성공했다. 이 기술은 메모리와 비()메모리 반도체를 합해 세계 반도체 업계에서 처음 개발됐다.
삼성전자는 16일 서울 신라호텔에서 내외신 기자회견을 열어 90나노 D램 양산기술을 세계 최초로 개발했다고 발표했다. 또 같은 90나노 공정기술을 적용, 업계 최초로 2기가바이트(GB) NAND(데이터저장용) 플래시메모리 시험생산에도 성공했다고 밝혔다.
이날 양산기술 개발에 성공한 90나노 D램은 회로선폭이 머리카락 굵기의 1250분의 1인 제품이다. 삼성전자는 내년 34분기(79월)중 현재 생산중인 300(12인치) 웨이퍼 생산라인에 이 기술을 적용해 512메가, 1기가 D램 제품을 양산할 계획이며 이에 따라 기존 0.12마이크로미터() 공정기술에 비해 생산성이 갑절 이상으로 뛰어오를 것으로 기대하고 있다.
또 함께 개발된 2기가 NAND플래시메모리는 내년 상반기 중 양산을 시작할 예정. 이 제품을 이용하면 엄지손가락 크기로 용량 4기가 메모리 카드를 만들 수 있으며 4기가 바이트는 음악CD 70장 또는 영화 4편을 저장할 수 있는 대용량이다.
황창규() 삼성전자 메모리사업부 사장은 반도체 공정기술에서 마()의 벽으로 인식됐던 0.10를 뛰어넘는 90 나노급 기술로 D램 양산과 플래시메모리 생산에 성공함으로써 경쟁업체와의 기술격차를 1년 이상으로 넓혀 시장 장악력도 높아질 것이라고 말했다.
반도체 전문 애널리스트인 최석포() 우리증권 애널리스트는 삼성전자가 개발한 나노급 생산기술을 300 웨이퍼에 적용하면 이론적으로 D램의 생산성을 3, 4배까지 높일 수 있어 대만 일본의 경쟁업체에 비해 탁월한 가격경쟁력을 갖추게 된다면서 또 고()집적 제품을 내놓은 NAND 플래시메모리는 고성장을 거듭하고 있어 반도체 부문 전체의 수익성도 크게 개선될 것이라고 말했다.
한편 반도체 경기 침체에도 불구하고 삼성전자 반도체 부문의 34분기 순이익이 24분기(46월)의 1조700억원보다 확대될 것으로 나타났다.
황 사장은 이날 삼성전자가 업계 1위를 차지하고 있는 NAND형 플래시메모리와 DDR램 등이 호조를 보이고 있어 34분기 매출 및 이익규모가 24분기보다 늘어날 것이라고 밝혔다.
박중현 sanjuck@donga.com
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