三星電子在世界上首次開發出了70 nm（納米、1 nm是10億分之1 m）的超微小工程技術的4 G快閃記憶體。
70nm技術是越過原有的90nm階段的最微小的半導體工程技術，4 G級NAND（存貯資料型）快閃記憶體是目前世界上最大容量的快閃記憶體。
29日三星電子存貯半導體事業部總經理黃昌圭表示：“原有的D記憶體，在加上快閃記憶體等以技術最領先的70nm快閃記憶體的開發，掀開了嶄新的‘納米半導體時代’” 。
此次開發出來的4GB級NAND（存貯資料型）快閃記憶體半導體比競爭企業日本東芝領先9個月以上的情況下，應用了70納米（10億分之1米，半導體回路幅度）的技術。
三星電子繼去年9月的2GB級産品開發之後，僅過了1年開發出了容量達到2倍的産品，從1999年之後連續4年將集成度每年提高至2倍。
記憶體晶片內部線路的寬度僅僅是一根頭髮直徑的14分之一，因此在同樣的大小的基礎上可以開發出更大容量的記憶體。集成度與原有的90nm産品相比高出好幾倍，因此在1張8GB級存貯卡可存貯2000首MP3歌曲，可存貯8個小時的數碼影像。
如果三星電子在明年年末進入70nm記憶體産品的生産，那麽與原有的90nm工藝相比生産率將提高50%以上。
三星電子還公佈，與此同時還確定了應用80納米工藝的512兆DDR D記憶體批量生産技術。另外，還開發出了融合存貯能力卓越的NAND型和處理速度先進的NOR（代碼存貯型）快閃記憶體優點的“Fusion”記憶體。
金泰韓 許振碩 freewill@donga.com jameshuh@donga.com
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