三星電子11日宣布:“將在代工廠(Foundry•半導體委托生産)事業領域追加11納米新制程(11LPP•Low Power Plus)。”這意味著三星不僅是在最高級、在中高級智能手機用半導體領域也開始強化其領導力。
11納米制程是指,將存儲器半導體電路刻在11nm(納米•1nm爲10億分之1米)的厚度上。因爲電路厚度越小,就越能細密和精准地刻錄,在相同的面積上可以實現更多的儲存容量。11LPP制程與現有的14納米制程相比,在相同的耗電水平下,性能最高可提高15%,芯片面積最多可減少10%。蓋樂世Note8等目前高級智能手機上都安裝了10納米級處理器,三星電子計劃通過11LPP制程,向不斷成長的中高級智能手機處理器領域的顧客們提供改善的産品。11LPP制程計劃在明年上半年(1 ~ 6月)投入生産。
另外,三星電子還以明年下半年(7月至12月)的投産爲目標,順利開發出了半導體業界第一個使用“極紫外線(EUV)技術”的7納米制程。到目前爲止,爲開發該制程而使用的晶片約達20萬張,出現了把以迄今爲止積累的經驗爲基礎展現Foundry制程的量産完成度的標准“SRAM”(256Mb)的(用化學方法處理原材料時的)的收率提高至80%等成果。
三星電子代工廠事業部營銷主管李相铉表示,“通過11LPP制程,顧客可以在已得到驗證的14納米制程的穩定性上制造出再次提升了性能的産品。”並稱,“完成了達到14、11、10、8、7納米水平的發展藍圖。”三星電子計劃于15日在日本東京舉辦“三星來樣加工論壇(Samsung Foundry Forum)”,並發表上述內容。
金成圭 sunggyu@donga.com