SK海力士在世界上首次成功開發出96層堆積“4D閃存”

SK海力士4日對外宣布，公司已成功開發出了比現有3D NAND-Flash(閃存)儲存器半導體産品更先進的“4D閃存”。將主要應用于3D閃存的CTF結構與PUC技術相結合，並在世界上首次開發出了96層堆積512Gb(千兆位)級TLC(Triple Level Cell，三層單元格)4D閃存。“CTF(Charge Trap Flash，電荷捕獲型)”是通過將存儲單元之間的幹擾最小化，從而改善性能和生産效率的技術；PUC(Peri.Circuits，外圍電路)是部署在掌管數據存儲存儲單元領域下層存儲單元運轉的外圍電路的技術。目前大部分企業都在3D閃存上采用了CTF技術，但在這裏SK海力士是第一次引進PUC技術。

　通過這一技術，與現有的72層堆積3D閃存産品相比，此次開發的4D閃存芯片的大小減少了30%以上，而每晶片的生産效率則增加了1.5倍。1片4D閃存芯片可以替代現有的兩塊256Gb 3D閃存産品，因此可以降低生産成本。可以同時處理數據的水准處于業界最高水平(64kB，千字節)，使用和閱讀性能也比72層堆積産品分別提高了30%和25%。

　SK海力士計劃在今年內推出內置此次開發的4D閃存産品的1TB (萬億字節)容量的消費者用SSD(Solid State Drives，固態硬盤)。明年將把目前以72層堆積爲基礎的企業用固態硬盤轉換成96層堆積。


申東秦 shine@donga.com